RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 8, страницы 640–643 (Mi phts6937)

Международная конференция ФизикА.СПб, 23-27 октября 2023 г., Санкт-Петербург

Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te и Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te

М. С. Ружевичa, К. Д. Мынбаевab, Н. Л. Баженовb, В. С. Варавинc, В. Г. Ремесникc, Н. Н. Михайловc, М. В. Якушевc

a Университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования фотолюминесценции слоев твердых растворов Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te и Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Сопоставление данных фотолюминесценции с результатами измерения оптического пропускания, структурных и микроскопических исследований показало, что по степени разупорядочения твердого раствора исследованные слои Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te не уступают по качеству материалу, синтезированному другими методами. Для слоев Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te данные фотолюминесценции выявили существенные флуктуации состава и присутствие акцепторных состояний, что свидетельствует о необходимости оптимизации технологии.

Ключевые слова: твердые растворы, HgCdTe, фотолюминесценция, дефекты.

Поступила в редакцию: 11.05.2023
Исправленный вариант: 17.07.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56960.5051C



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026