А. А. Гавриков, В. Г. Кузнецов, А. В. Колобов, “Варизонность 2D слоев CdTe в фазе сфалерита и в фазе с граничными атомами халькогена”, Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 8,страницы 632

Международная конференция ФизикА.СПб, 23-27 октября 2023 г., Санкт-Петербург

Варизонность 2D слоев CdTe в фазе сфалерита и в фазе с граничными атомами халькогена

А. А. Гавриков^a, В. Г. Кузнецов^ab, А. В. Колобов^a

^a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Уменьшение толщины полупроводников до предела в несколько монослоев часто приводит к появлению новых свойств материала. Для пластин теллурида кадмия как в фазе сфалерита, так и в инвертированной фазе методом теории функционала плотности исследована зависимость ширины запрещенной зоны от их толщины. Для фазы сфалерита характерно чередование слоев Cd–Te–Cd–Te, тогда как в инвертированной фазе порядок следования слоев Te–Cd–Cd–Te. Показано, что при использовании пластин толщиной от одного до нескольких монослоев можно получать варизонные структуры.

Ключевые слова: теллурид кадмия, 2D материалы, варизонность, монослой.

Поступила в редакцию: 15.05.2023
Исправленный вариант: 05.08.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56958.5153C