RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 8, страницы 628–631 (Mi phts6934)

Международная конференция ФизикА.СПб, 23-27 октября 2023 г., Санкт-Петербург

Формирование канального кремния для создания фильтрующих слоев

К. Е. Ивлев, В. В. Болотов, И. В. Пономарева, Е. В. Князев

Омский научный центр СО РАН, 644024 Омск, Россия

Аннотация: Рассмотрены особенности формирования пористых слоев на подложках слабо легированного кремния $n$-типа проводимости методом анодного травления с использованием освещения. Обнаружено формирование слоя микропористого кремния на стенках макропор. Показано, что режимы освещения сильно влияют на морфологические параметры полученных слоев. После экспозиции в щелочи получены макропористые слои с диаметрами пор до 550 нм, которые могут быть использованы для создания фильтрующих слоев.

Ключевые слова: пористый кремний, электрохимическое травление, газовые фильтры, растровая электронная микроскопия.

Поступила в редакцию: 12.05.2023
Исправленный вариант: 13.09.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56957.5104C



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026