Международная конференция ФизикА.СПб, 23-27 октября 2023 г., Санкт-Петербург

Особенности фазового перехода в тонких пленках суперионного полупроводника AgI

А. А. Кононов^a, А. В. Ильинский^b, Р. А. Кастро^a, В. А. Климов^b, М. Э. Пашкевич^c, И. О. Попова^a, Е. Б. Шадрин<sup>b

a</sup> Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195291 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассмотрены особенности релаксационных процессов, характеризующих фазовый переход в суперионном полупроводнике AgI. На спектрах тангенса угла диэлектрических потерь и на диаграммах Коул–Коула обнаружены два максимума, соответствующие релаксации массивов свободных электронов и положительно заряженных ионов серебра. Показано, что исследуемый материал характеризуется температурным гистерезисом, выражающимся в отставании по температуре обратного фазового перехода из суперионной фазы в полупроводниковую.

Ключевые слова: фазовый переход, суперионник, иодид серебра, релаксационные процессы.

Поступила в редакцию: 12.05.2023
Исправленный вариант: 12.09.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56956.5097C

Реферативные базы данных:

•