Физика и техника полупроводников,
2023, том 57, выпуск 7,страницы 551–554(Mi phts6918)
Международная конференция ФизикА.СПб, 23-27 октября 2023 г., Санкт-Петербург
Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами
Аннотация:
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод о возможности переключения между состояниями с областью локализации в разных квантовых точках при изменении поляризации среднего барьера.