RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 7, страницы 551–554 (Mi phts6918)

Международная конференция ФизикА.СПб, 23-27 октября 2023 г., Санкт-Петербург

Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами

Е. А. Лаврухина, Д. В. Хомицкий, А. В. Тележников

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, физический факультет, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод о возможности переключения между состояниями с областью локализации в разных квантовых точках при изменении поляризации среднего барьера.

Ключевые слова: топологический изолятор, магнитный барьер, двойная квантовая точка, локализация.

Поступила в редакцию: 06.05.2023
Исправленный вариант: 11.06.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56788.4943C



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026