Международная конференция ФизикА.СПб, 23-27 октября 2023 г., Санкт-Петербург

Эпитаксиальные гетероструктуры активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона

Р. А. Салий, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, Н. А. Калюжный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано влияние компенсирующих слоев AlGaAsP, GaAsP и AlGaAs/GaAsP на оптическое качество активной области на основе InGaAs/GaAs-квантовых ям для светодиодов, излучающих на длине волны 940 нм. Методом металлоорганической газофазной эпитаксии выращены гетероструктуры с множественными квантовыми ямами с применением различных подходов к компенсации структурных напряжений. Продемонстрировано увеличение интенсивности фотолюминесценции более чем на 32% при использовании AlGaAs/GaAsP-компенсирующих слоев.

Ключевые слова: квантовые ямы, светодиоды, InGaAs, эпитаксия, гетероструктуры.

Поступила в редакцию: 17.05.2023
Исправленный вариант: 03.07.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56785.5169C

Реферативные базы данных:

•