RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 7, страницы 534–537 (Mi phts6914)

Международная конференция ФизикА.СПб, 23-27 октября 2023 г., Санкт-Петербург

Исследования структурных и механических свойств тонких пленок AlGaN на гибридных подложках нано-SiC/Si

А. С. Гращенкоa, С. А. Кукушкинa, Ш. Ш. Шарофидиновb

a Институт проблем машиноведения РАН, 199178 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Выполнено экспериментальное исследование структурных характеристик поверхности и параметров твердости и модуля упругости тонких пленок AlGaN, выращенных на гибридных подложках нано-SiC/Si. С помощью методов атомно-силовой микроскопии и наноиндентирования исследованы слои AlGaN на нано-SiC на Si с ориентациями (001), (011) и (111). Показано, что ориентация подложки Si оказывает существенное влияние на структуру поверхности пленок AlGaN и параметр модуля упругости AlGaN вблизи поверхности. Определена шероховатость и структурные характеристики поверхности слоев AlGaN, выращенных на гибридных подложках на нано-SiC на Si. Измерены параметры модуля упругости пленок AlGaN вблизи поверхности и в объеме пленки. Экспериментально определены параметры твердости тонких пленок AlGaN на нано-SiC на Si.

Ключевые слова: тонкие пленки, АСМ, наноиндетирование, гетероструктуры, нано-SiC/Si, AlGaN.

Поступила в редакцию: 16.05.2023
Исправленный вариант: 03.08.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56784.5166C



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026