Международная конференция ФизикА.СПб, 23-27 октября 2023 г., Санкт-Петербург

Особенности роста нитевидных наноструктур InP на подложках кремния из паровой фазы

Л. Б. Карлина^a, А. С. Власов^a, И. В. Илькив^b, А. В. Вершинин^b, И. П. Сошников<sup>abc

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 198095 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Впервые показана возможность выращивания InP-нитевидных кристаллов из насыщенных паров фосфора и индия в соотношении V/III 8–10 в квазизамкнутом объеме на подложках кремния ориентации (111) со слоем естественного окисла в пределах 2–2.5 нм. Обнаружен устойчивый рост нитевидных кристаллов InP из каталитических капель Au–In–P, образующихся непосредственно в начальный период роста. Оптические исследования подтвердили, что на поверхности Si формируются InP-наноструктуры. Полученные структуры обнаруживают высокий уровеь легирования, предположительно, атомами олова.

Ключевые слова: нитевидные наноструктуры InP, рост из паровой фазы, A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на Si.

Поступила в редакцию: 11.05.2023
Исправленный вариант: 11.07.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56783.5037C

Реферативные базы данных:

•