Влияние уровня легирования и компенсации на энергию активации $\varepsilon_{1}$-проводимости $6H$-SiC : N

М. В. Алексеенко, А. Г. Забродский, М. П. Тимофеев


Аннотация: Исследовано влияние уровня легирования азотом и степени компенсации на энергию активации $\varepsilon_{1$-прово}димости в $6H$-SiC : N. В области слабого легирования при малых и умеренных компенсациях для обоих неэквивалентных состояний азота она уменьшается с увеличением содержания компенсирующей примеси, качественно согласуясь с теорией Узакова и Эфроса, рассматривающей влияние на нее случайного поля при линейном (дебаевском) экранировании. При сильном легировании величина энергии активации в большей степени определяется концентрацией основной примеси азота. Соответствующая ей щель между зоной проводимости и примесной обращается в нуль на переходе металл–диэлектрик, а сам переход происходит в зоне проводимости при слиянии с нею примесной зоны. Критическое поведение этой щели описывается индексом, равным абсолютной величине радиуса локализации.