Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние промежуточного низкотемпературного нагрева на преципитацию в нестехиометрическом GaAs

Л. А. Снигирев^a, Н. А. Берт^a, В. В. Преображенский^b, М. А. Путято^b, Б. Р. Семягин^b, В. В. Чалдышев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии изучалась начальная стадия формирования преципитатов при постростовом отжиге нестехиометрических GaAs и GaAs$_{0.97}$Sb$_{0.03}$, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией при низкой (150$^\circ$C) температуре на подложке GaAs(001) с промежуточным прерыванием роста и нагревом до 250$^\circ$C. Обнаружено, что кратковременный промежуточный нагрев, несмотря на низкую температуру, приводит к выпадению более крупных частиц при последующем постростовом отжиге по сравнению с материалом, не подвергавшемся такому нагреву. Этот эффект объясняется высокой концентрацией избыточного мышьяка в LT-GaAs и LT-GaAs$_{0.97}$Sb$_{0.03}$, выращенных при 150$^\circ$C, усиленной диффузией вследствие высокой концентрации неравновесных вакансий галлия и беспороговым возникновением зародышей.

Ключевые слова: нестехиометрический арсенид галлия, LT-GaAs, преципитация.

Поступила в редакцию: 10.08.2023
Исправленный вариант: 22.08.2023
Принята в печать: 28.08.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56482.5487

Реферативные базы данных:

•