Физика полупроводниковых приборов

Пространственное распределение интенсивности электролюминесценции и внутренний квантовый выход во флип-чип диодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAsSb с удаленной подложкой

Б. А. Матвеев^a, В. И. Ратушный^b, А. Ю. Рыбальченко<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Волгодонский инженерно-технический институт – филиал Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, 347360 Волгодонск, Россия

Аннотация: Проведен расчет пространственного распределения интенсивности электролюминесценции с учетом особенностей растекания тока, принимая во внимание зависимость внутреннего квантового выхода от плотности тока при доминировании oже-рекомбинации, во флип-чип диодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAsSb ($\lambda$ = 4.2 мкм). Из сопоставления расчетных данных и распределения излучения по поверхности образца определен внутренний квантовый выход электролюминесценции и его зависимость от плотности тока при комнатной температуре.

Ключевые слова: узкозонные гетероструктуры A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, светодиоды среднего ИК диапазона спектра, сгущение линий тока в светодиодах, светодиоды на основе InAsSb, внутренний квантовый выход в светодиодах на основе InAsSb.

Поступила в редакцию: 05.04.2023
Исправленный вариант: 26.07.2023
Принята в печать: 01.08.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56481.4798

Реферативные базы данных:

•