Физика полупроводниковых приборов

InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17–1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем

И. В. Самарцев, Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, А. Б. Чигинева, К. С. Жидяев, Н. В. Дикарева, А. В. Здоровейщев, А. В. Рыков, С. М. Планкина, А. В. Нежданов, А. В. Ершов

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Приведены результаты исследований по созданию фотодиодов для спектрального диапазона $>$ 1 мкм, сформированных на подложках GaAs. Разработана технология эпитаксиального выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии InGaAs $p$–$i$–$n$-фотодиодных структур c дискретным метаморфным буферным слоем In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs. Для фотодиодов, изготовленных на основе полученных структур, спектральная зависимость фототока имела максимум на длине волны 1.24 мкм, спектральная область фоточувствительности составляла 1.17–1.29 мкм на уровне 10% от ее максимума при комнатной температуре. Представлены вольт-амперные характеристики фотодиодов в диапазоне температур 9–300 K. Показано, что темновой ток содержит генерационно-рекомбинационную и туннельную компоненты. Достигнуто пониженное значение плотности темнового тока 8$\cdot$10$^{-5}$ А/см$^2$ при обратном смещении -5 В и комнатной температуре.

Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, наноматериалы, полупроводники A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, инфракрасные фотодиоды, темновой ток.

Поступила в редакцию: 30.05.2023
Исправленный вариант: 20.06.2023
Принята в печать: 17.07.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56480.4964

Реферативные базы данных:

•