Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te, легированных мышьяком

М. С. Ружевич^a, Д. Д. Фирсов^b, О. С. Комков^b, К. Д. Мынбаев^ac, В. С. Варавин^d, М. В. Якушев<sup>d

a</sup> Университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования фотолюминесценции пленок твердых растворов Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si и легированных мышьяком. Анализ спектров фотолюминесценции, полученных при различных температурах и мощностях возбуждающего лазера, позволил судить о природе зарегистрированных пиков. В пленках, прошедших двухстадийный активационный отжиг, наблюдалась активация мышьяка с формированием мелких (7–8 мэВ) акцепторных уровней. Подтверждена эффективность мышьяка в качестве акцепторной примеси для теллуридов кадмия-ртути.

Ключевые слова: CdHgTe, легирование, акцепторная примесь, фотолюминесценция.

Поступила в редакцию: 05.07.2023
Исправленный вариант: 05.09.2023
Принята в печать: 07.09.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56479.5375

Реферативные базы данных:

•