Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Эллипсометрический in situ контроль процессов роста буферных слоев ZnTe и CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллура

В. А. Швец^ab, Д. В. Марин^ab, М. В. Якушев^a, С. В. Рыхлицкий<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Рассмотрены проблемы in situ эллипсометрического контроля при выращивании буферных слоев ZnTe и CdTe, предназначенных для эпитаксии кадмий-ртуть-теллура. Установлено, что для 20 нм слоев ZnTe спектральные зависимости оптических постоянных вблизи края поглощения носят размытый характер, что свидетельствует о наличии структурных дефектов в пленке. Показано, что микрорельеф поверхности роста CdTe является критерием структурного совершенства слоев и может быть измерен с помощью эллипсометра как на ранних стадиях, так и в процессе стационарного роста.

Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, in situ эллипсометрический контроль, CdTe, микрорельеф, дефекты роста.

Поступила в редакцию: 15.06.2023
Исправленный вариант: 28.07.2023
Принята в печать: 03.08.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56476.5278

Реферативные базы данных:

•