Влияние неоднородного распределения примесей на фотоэлектрические характеристики резисторных структур на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

А. Я. Вуль, С. В. Кидалов


Аннотация: Проанализировано влияние неоднородного распределения примесей на темновую и фотопроводимость резисторных структур на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$. Показано, что зависимость тока от электрического поля в эпитаксиальных слоях с концентрацией носителей ${n^{0}\lesssim10^{14}\,\text{см}^{-3}}$ объясняется в рамках модели перколяционной проводимости неоднородного полупроводника, а фотопроводимость определяется в основном изменением эффективной дрейфовой подвижности равновесных носителей заряда $\mu_{\text{эфф}}$.