XXVII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 13 - 16 марта 2023г.

Фотомодуляционная оптическая спектроскопия варизонных гетероструктур CdHgTe

О. С. Комков^a, М. В. Якушев<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Методом инфракрасного фотоотражения измерены многослойные фотоприемные гетероструктуры кадмий-ртуть-теллур, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на Si- и GaAs-подложках. По периоду наблюдаемых в спектрах осцилляций Франца–Келдыша бесконтактно определена напряженность встроенного интерфейсного электрического поля вблизи гетерограницы “рабочий слой – варизонный приповерхностный слой”. Аналитический расчет распределения этого поля по глубине структуры показал область формирования фотомодуляционного сигнала. Экспериментально полученные значения полей оказались выше расчетных, что объясняется влиянием фотоэдс.

Ключевые слова: фотоотражение, кадмий-ртуть-теллур, CdHgTe, встроенное электрическое поле, фурье-спектроскопия, осцилляции Франца–Келдыша.

Поступила в редакцию: 24.08.2023
Исправленный вариант: 01.09.2023
Принята в печать: 01.09.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56469.33k

Реферативные базы данных:

•