XXVII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 13 - 16 марта 2023г.

Получение и исследование свойств слоев GaAs, легированных висмутом

Д. А. Здоровейщев^a, О. В. Вихрова^a, Ю. А. Данилов^a, В. П. Лесников^a, А. В. Нежданов^a, А. Е. Парафин^b, С. М. Планкина<sup>a

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия
^b Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Импульсное лазерное напыление в вакууме при 220$^\circ$C слоев GaAs, сильно легированных Mn и (или) Bi, использовано для формирования наноструктур на подложках $i$-GaAs (100). Показано, что для электрической активации марганца целесообразно использовать последующий отжиг импульсом эксимерного лазера с длиной волны 248 нм и длительностью 30 нс. Структуры показывают аномальный эффект Холла с петлей гистерезиса на магнитополевой зависимости вплоть до температуры Кюри $\sim$70 K. Отрицательное магнетосопротивление наблюдается вплоть до температур $\approx$150 K. Висмут не препятствует активации атомов Mn при отжиге и способствует увеличению коэрцитивного поля ферромагнитного полупроводника GaMnAs.

Ключевые слова: арсенид галлия, импульсное лазерное напыление, легирование Bi и Mn, импульсный лазерный отжиг, ферромагнитные свойства.

Поступила в редакцию: 24.08.2023
Исправленный вариант: 01.09.2023
Принята в печать: 01.09.2023

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56465.16k

Реферативные базы данных:

•