Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Слабая антилокализация в сильно разупорядоченном двумерном полуметалле в квантовой яме HgTe

Е. Б. Ольшанецкий^a, З. Д. Квон^ab, Н. Н. Михайлов<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Экспериментально исследована слабая локализация в сильно разупорядоченной квантовой яме Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te/HgTe/Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te толщиной $d$ = 20 нм. Проведен анализ аномального положительного магнетосопротивления, обусловленного подавлением интерференционной поправки к проводимости магнитным полем, по обе стороны от точки зарядовой нейтральности: для двумерного полуметалла и для двумерного электронного металла. При одинаковых значениях удельного сопротивления пик аномального положительного магнетосопротивления в 2D полуметалле имеет значительно большую ширину, чем в 2D электронном газе. Количественное сравнение полученных результатов с теорией позволяет, в частности, сделать вывод о том, что интенсивность переходов носителей между подсистемами в бинарной системе 2D полуметалл максимальна вблизи точки зарядовой нейтральности, где концентрации электронов и дырок близки, и уменьшается по мере увеличения разницы в концентрациях.

Ключевые слова: полуметалл, квантовая яма, HgTe, слабая антилокализация.

Поступила в редакцию: 30.07.2023
Исправленный вариант: 04.08.2023
Принята в печать: 04.08.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56208.5395

Реферативные базы данных:

•