Переход металл–диэлектрик в Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te, индуцированный магнитным полем

И. М. Цидильковский, Ю. Г. Арапов, А. Б. Давыдов, М. Л. Зверева


Аннотация: На образцах $n$-Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te со степенью компенсации ${0.6\leqslant K\leqslant0.8}$ и концентрацией электронов ${1.1\cdot10^{14}\leqslant n\leqslant 1.1\cdot10^{15}\,\text{см}^{-3}}$ исследованы зависимости холловского $\rho_{xy}$, продольного $\rho_{zz}$ и поперечного $\rho_{xx}$ магнитосопротивлений от магнитного поля и температуры. Показано, что при некотором пороговом магнитном поле $H^{0}_{R}$ и ${T< 4.2}$ K электроны локализуются во флуктуационных ямах примесного потенциала — происходит переход металл–диэлектрик. Зависимость $H^{R}_{0}(n)$ согласуется с предсказанием теории локализации электронов для сильно легированных компенсированных полупроводников.