XXVII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 13 - 16 марта 2023г.

Терагерцовые излучатели с активной областью на основе сверхмногопериодных решеток AlGaAs/GaAs

А. С. Дашков^ab, Л. Г. Герчиков^ca, Л. И. Горай^abde, Н. А. Костромин^cb, А. Д. Буравлёв<sup>bed

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^d Институт аналитического приборостроения РАН, 198095 Санкт-Петербург, Россия
^e Университет при Межпарламентской ассамблее ЕврАзЭС, Санкт-Петербург, 199106 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассмотрено несколько конструкций активной области терагерцового источника излучения с учетом выращиваемых сверхмногопериодных сверхрешеток AlGaAs/GaAs. Для предложенных дизайнов рассчитаны основные приборные характеристики: энергетическая диаграмма, спектр усиления, транспортные характеристики. На основе результатов расчетов предложена оптимальная конструкция активной области перестраиваемого источника терагерцового излучения.

Ключевые слова: терагерцовый диапазон частот, активная область, приборные характеристики.

Поступила в редакцию: 05.05.2023
Исправленный вариант: 29.06.2023
Принята в печать: 06.07.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56197.17k

Реферативные базы данных:

•