Физика полупроводниковых приборов

Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs

М. В. Максимов^a, Ю. М. Шерняков^b, Г. О. Корнышов^a, О. И. Симчук^a, Н. Ю. Гордеев^b, А. А. Бекман^b, А. С. Паюсов^b, С. А. Минтаиров^b, Н. А. Калюжный^b, М. М. Кулагина^b, А. Е. Жуков<sup>c

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), 190008 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы суперлюминесцентные диоды с активной областью на основе 5 и 7 слоев квантовых яма-точек InGaAs/GaAs. Для реализации широкого спектра излучения без значительных провалов максимумы излучения отдельных слоев квантовых яма-точек сдвинуты друг относительно друга на 15–35 нм. Центральная длина волны суперлюминесцентных диодов составила $\sim$1 мкм, а ширина линии излучения на половине высоты – 92 и 103 нм для суперлюминесцентных диодов с 5 и 7 слоями квантовых яма-точек соответственно.

Ключевые слова: квантовые яма-точки, широкополосный источник излучения, суперлюминесцентный диод.

Поступила в редакцию: 26.05.2023
Исправленный вариант: 16.06.2023
Принята в печать: 23.06.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55902.5262

Реферативные базы данных:

•