XXVII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 13 - 16 марта 2023г.

Влияние процесса образования единичного кластера радиационных дефектов на переключение состояния транзисторной ячейки памяти

И. Ю. Забавичев^ab, А. С. Пузанов^ab, С. В. Оболенский<sup>ab

a</sup> Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия
^b Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, г. Саров Нижегородской обл., 607188 Саров, Нижегородская обл., Россия

Аннотация: Исследовано влияние образования единичного кластера радиационных дефектов на переключение состояния транзисторной ячейки памяти. Проведены оценки величины энергии ядерной частицы, способной сформировать кластер радиационных дефектов, вызывающий сбой и отказ работы современных кремниевых транзисторов с различными размерами рабочих областей. Рассчитаны сечения сбоев для шести- и восьмиэлементной транзисторной ячейки памяти для различных технологических процессов при воздействии потока нейтронов мгновенного спектра деления.

Ключевые слова: транзисторная ячейка памяти, кластер радиационных дефектов, сечение сбоев.

Поступила в редакцию: 05.05.2023
Исправленный вариант: 29.06.2023
Принята в печать: 06.07.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55897.15k

Реферативные базы данных:

•