XXVII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 13 - 16 марта 2023г.

Формирование заряженных вакансий в анионной подрешетке AlAs

Т. С. Шамирзаев<sup>ab

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Исследована динамика образования вакансий в легированных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми точками, сформированными в анионной подрешетке AlAs. Построена теоретическая модель, описывающая влияние легирования на динамику генерации вакансий. Показано, что при высоких концентрациях дырок генерация положительно заряженных вакансий мышьяка более вероятна, чем генерация нейтральных. При высоких концентрациях электронов формирование нейтральных вакансий мышьяка идет эффективнее, чем положительно заряженных. Экспериментально установлено, что вакансионно-стимулированная высокотемпературная диффузия сурьмы усиливается (подавляется) в $p$-($n$-)-легированных гетероструктурах с квантовыми точками Al(Sb,As)/AlAs.

Ключевые слова: заряженные вакансии, квантовые точки, атомная диффузия.

Поступила в редакцию: 05.05.2023
Исправленный вариант: 18.05.2023
Принята в печать: 18.05.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55890.01k

Реферативные базы данных:

•