Физика полупроводниковых приборов

Моделирование зонной структуры сверхрешеток на основе “разбавленных” нитридов

А. С. Дашков^a, Н. А. Костромин^b, А. В. Бабичев^c, Л. И. Горай^a, А. Ю. Егоров<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложен подход и реализован численный алгоритм расчета энергии межзонных переходов для полупроводниковых сверхрешеток на основе “разбавленных” нитридов. С помощью разработанного алгоритма проведены численные эксперименты по моделированию характеристик структур на основе InGaAsN квантовых ям и подтверждена корректность реализованного подхода за счет сравнения с экспериментальными данными. Приведен метод оценки параметра гибридизации для структур на основе InGaAsN квантовых ям с долей индия $<$ 30%. По результатам численных расчетов предложены параметры слоев сверхрешеток In(Ga)As/GaAsN для реализации активных областей спектрального диапазона 1.3 мкм.

Ключевые слова: сверхрешетки, разбавленные нитриды, межзонные переходы, численное моделирование, параметр гибридизации.

Поступила в редакцию: 30.09.2022
Исправленный вариант: 10.03.2023
Принята в печать: 02.05.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.03.55635.4163

Реферативные базы данных:

•