RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 3, страницы 145–152 (Mi phts6849)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Высокая чувствительность пленок оксида индия, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии, к аммиаку

Д. А. Алмаевa, А. В. Алмаевab, В. И. Николаевcd, П. Н. Бутенкоac, М. П. Щегловc, А. В. Чикирякаc, А. И. Печниковc

a Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
b ООО "Фокон", 248009 Калуга, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
d ООО "Совершенные кристаллы", 194223 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано влияние H$_2$, NH$_3$, CO и O$_2$ на электропроводящие свойства пленок In$_2$O$_3$, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии. В интервале температур 200–550$^\circ$C пленки In$_2$O$_3$ демонстрируют газовую чувствительность ко всем рассмотренным газам, имея относительно высокое быстродействие и повторяемость циклов. Наибольший отклик был получен при воздействии NH$_3$, который при температуре 400$^\circ$С и концентрации газа 1000 млн$^{-1}$ превысил 33 отн.ед. Предложен качественный механизм газовой чувствительности пленок In$_2$O$_3$. Полученные газочувствительные характеристики сопоставлены с известными сенсорами NH$_3$ на основе различных материалов. Показано, что метод хлоридной газофазной эпитаксии позволяет получать пленки оксида индия с высокой газовой чувствительностью.

Ключевые слова: пленки In$_2$O$_3$, хлоридная газофазная эпитаксия, газочувствительные свойства, отклик.

Поступила в редакцию: 14.03.2023
Исправленный вариант: 13.04.2023
Принята в печать: 13.04.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.03.55626.4704



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026