RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 3, страницы 138–144 (Mi phts6848)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Процесс десорбции оксида с поверхности InSb в потоке сурьмы

М. А. Суханов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: In situ методом дифракции быстрых электронов исследован процесс удаления оксида с поверхности InSb (001) в вакууме и в потоке сурьмы. Получена зависимость толщины оксида от температуры отжига. Обнаружено, что поток сурьмы замедляет процесс удаления оксида за счет обратной реакции образования оксида. Процесс разложения и удаления оксида в вакууме и в потоке сурьмы описан системой кинетических уравнений, определена энергия разложения оксида сурьмы.

Ключевые слова: InSb, оксид, энергия активации, десорбция.

Поступила в редакцию: 10.02.2023
Исправленный вариант: 30.03.2023
Принята в печать: 10.04.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.03.55625.4580



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026