Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Вода – источник электрически активных центров в CdHgTe

Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, В. С. Варавин

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Исследовано влияние водных растворов с различным pН и электрохимической обработки в положении катода на концентрацию носителей заряда в образцах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te. Катодная обработка кадмия-ртути-теллура при малой плотности тока увеличивает концентрацию доноров, а при высокой плотности образуются акцепторы. Предполагается, что гидроксильные группы создают акцепторные центры, встраиваясь в междоузлия кадмия-ртути-теллура. При обработке в течение длительного времени (больше 20 ч) образуются либо акцепторы с концентрацией на уровне 10$^{16}$ см$^{-3}$ (при высокой активности водорода), либо донорные центры с концентрацией 10$^{14}$ см$^{-3}$ (при низкой активности водорода), которые равномерно распределяются по всей толщине пленки кадмий-ртуть-теллур и при дальнейшем увеличении времени обработки их концентрация не изменяется.

Ключевые слова: CdHgTe, электрохимическая обработка, акцепторы, активность водорода.

Поступила в редакцию: 04.10.2022
Исправленный вариант: 10.01.2023
Принята в печать: 06.03.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.02.55332.4178

Реферативные базы данных:

•