Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Геттерирование эпитаксиального арсенида индия редкоземельным элементом гольмием

Е. В. Куницына, Я. А. Пархоменко, А. А. Пивоварова, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Приведены результаты исследования гальваномагнитных свойств арсенида индия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Показано, что получение эпитаксиальных слоев InAs при использовании редкоземельного элемента Ho позволяет снизить концентрацию электронов на 2 порядка до $n=2.1\cdot10^{15}$ см$^{-3}$ при $T$ = 77 K за счет геттерирования мелких фоновых примесей путем образования их соединений в растворе-расплаве. При увеличении содержания гольмия в жидкой фазе более 0.12 мол% концентрация носителей тока в материале начинает возрастать, при этом наблюдается снижение подвижности, что предположительно связано с влиянием донорных центров $V_{\mathrm{As}}$–Ho. Данный способ геттерирования перспективен для получения материалов A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с низкой концентрацией носителей тока, востребованных в оптоэлектронной промышленности.

Ключевые слова: арсенид индия, редкоземельные элементы, коэффициент Холла, концентрация носителей тока, подвижность носителей тока.

Поступила в редакцию: 20.12.2022
Исправленный вариант: 15.02.2023
Принята в печать: 20.02.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.02.55327.4503

Реферативные базы данных:

•