Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaP$_x$As$_{1-x}$: феноменологическое описание зависимости $x$ от условий роста на подложке GaAs(001)

М. А. Путято, Е. А. Емельянов, М. О. Петрушков, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: С применением феноменологической модели описаны экспериментальные зависимости доли фосфора в твердом растворе GaP$_x$As$_{1-x}$ от условий его выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(001) из потоков молекул As$_2$ и P$_2$. Модель построена на основе устоявшихся представлений о процессе молекулярно-лучевой эпитаксии соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$. Отношение коэффициентов встраивания атомов мышьяка и фосфора рассматривалось как функция температуры подложки, плотности потоков молекул V группы и атомов Ga. Найдены эмпирические выражения, описывающие поведение отношения коэффициентов встраивания мышьяка и фосфора в зависимости от указанных параметров роста. Выражения позволяют оценивать величины потоков молекул V группы, обеспечивающие получение слоев GaP$_x$As$_{1-x}$ c требуемым $x$ при заданных значениях температуры подложки и плотности потока атомов Ga.

Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, твердые растворы, GaP$_x$As$_{1-x}$, феноменологическая модель.

Поступила в редакцию: 14.10.2022
Исправленный вариант: 31.01.2023
Принята в печать: 23.02.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.02.55326.4225

Реферативные базы данных:

•