Физика полупроводниковых приборов

Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb–Al$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As$_{0.97}$Sb$_{0.03}$

Л. А. Снигирев^a, В. И. Ушанов^a, А. А. Иванов^a, Н. А. Берт^a, Д. А. Кириленко^a, М. А. Яговкина^a, В. В. Преображенский^b, М. А. Путято^b, Б. Р. Семягин^b, И. А. Касаткин^c, В. В. Чалдышев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре с использованием прерываний роста успешно выращены эпитаксиальные слои Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_y$ с содержанием алюминия $x\sim$ 60% и содержанием сурьмы $y\sim$ 3%. Путем последующего отжига в полупроводниковой матрице сформирована развитая система нановключений AsSb. Увеличенное окно прозрачности полученного метаматериала позволило надежно документировать широкую полосу поглощения света вблизи края межзонного поглощения полупроводниковой матрицы Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_y$. Параметры наблюдаемой полосы экстинкции позволяют связать такое поглощение света с плазмонным резонансом в системе нановключений AsSb.

Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, рентгенодифракционный анализ, просвечивающая электронная микроскопия, оптические свойства, плазмонный резонанс.

Поступила в редакцию: 19.01.2023
Исправленный вариант: 07.02.2023
Принята в печать: 09.02.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54933.4545

Реферативные базы данных:

•