Физика полупроводниковых приборов

Влияние ионной очистки поверхности излучающего скола 9хх нм лазерных диодов на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs на их предельную мощность излучения

А. С. Токарев^a, О. А. Лапшина^a, А. А. Козырев<sup>abc

a</sup> ООО Научно-производственное предприятие "Инжект", 410033 Саратов, Россия
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
^c Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия

Аннотация: Сообщается об исследовании влияния ионной очистки поверхности излучающего скола 9хх нм лазерных диодов на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs на их предельную мощность излучения. Был проведен анализ измерений предельной мощности и процент лазерных диодов, имеющих визуальные проявления оптической катастрофической деградации в активной области. Обнаружено, что кратковременная (1 мин) низкоэнергетичная обработка ионами аргона и водорода не приводит к изменению параметров лазерных диодов, в то время как обработка ионами азота приводит к снижению предельной мощности и увеличению вероятности появления оптической катастрофической деградации. Также показано, что использование ионного источника на основе электронно-циклотронного резонанса приводит к лучшим результатам, по сравнению с источником холловского типа или радиочастотным источником с индуктивно-связанной плазмой, за счет меньшей энергии ионов.

Ключевые слова: ионная очистка, лазерный диод, катастрофическая оптическая деградация, предельная мощность, пассивация, нитридизация.

Поступила в редакцию: 22.07.2022
Исправленный вариант: 07.12.2022
Принята в печать: 16.01.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54931.3952

Реферативные базы данных:

•