Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур

А. А. Лебедев^a, В. В. Козловский^b, М. Е. Левинштейн^a, Д. А. Малевский^a, Г. А. Оганесян<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Влияние протонного облучения (энергия протонов 15 МэВ) на параметры высоковольтных 4$H$-SiC интегрированных (JBS) диодов Шоттки впервые исследовано в диапазоне рабочих температур $T_i$ (23 и 175$^\circ$С). Блокирующее напряжение исследованных диодов, $U_b$ составляло 600 и 1700 В. Для приборов c $U_b$ = 600 В диапазон флюенсов $\Phi$ составлял 5$\cdot$10$^{13}$–1$\cdot$10$^{14}$см$^{-2}$; для приборов c $U_b$ = 1700 В величина $\Phi$ составила и 3$\cdot$10$^{13}$–6$\cdot$10$^{13}$см$^{-2}$. Увеличение температуры облучения приводит к заметному уменьшению влияния облучения на вольт-амперные характеристики диодов. Исследовано влияние отжига на вольт-амперные характеристики облученных приборов.

Ключевые слова: карбид кремния, диоды Шоттки, протонное облучение, отжиг, вольт-амперные характеристики.

Поступила в редакцию: 21.12.2022
Исправленный вариант: 16.01.2023
Принята в печать: 16.01.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54930.4475

Реферативные базы данных:

•