Физика полупроводниковых приборов

Фронтальный контакт к GaSb-фотопреобразователям: свойства и температурная стабильность

С. В. Сорокина, Ф. Ю. Солдатенков, Н. С. Потапович, В. П. Хвостиков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассмотрены вопросы термической стабильности фронтальных контактов на основе Cr–Au и Cr–Au–Ag–Au к фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb в рабочих (температура на элементе $T\sim$ 50$^\circ$C) и стандартных для квалификационных испытаний условиях ($\sim$80$^\circ$C), а также при форсированной тепловой деградации ($\sim$125 и $\sim$200$^\circ$C). Показано, что фотоэлектрический преобразователь с серебросодержащим контактом обладает лучшими характеристиками по стабильности контактного сопротивления, фоточувствительности, $FF$, $V_{oc}$ и, соответственно, по кпд. Определен срок службы преобразователей при рабочих и повышенных температурах.

Ключевые слова: контакт, деградация, фотоэлектрический преобразователь, GaSb.

Поступила в редакцию: 16.05.2022
Исправленный вариант: 12.07.2022
Принята в печать: 10.08.2022

DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54928.3692

Реферативные базы данных:

•