Электронные свойства полупроводников

Разыгрывание полярного угла рассеяния электронов на ионах примеси при моделировании процессов переноса заряда в полупроводниках методом Монте-Карло

В. М. Борздов, А. В. Борздов, Ю. Г. Василевский

Белорусский государственный университет, 220030 Минск, Беларусь

Аннотация: Рассмотрены процедуры разыгрывания полярного угла рассеяния электронов на ионах примеси в рамках моделей Брукса–Хэрринга, Конуэлл-Вайскопфа и Ридли, чаще всего используемых при моделировании процессов переноса носителей заряда в полупроводниках методом Монте-Карло. Для модели Ридли предложена более корректная процедура разыгрывания полярного угла рассеяния. На примере кремния проанализированы особенности плотностей распределения углов рассеяния, полученных в рамках рассмотренных моделей. Проведено сравнение рассчитанных многочастичным методом Монте-Карло зависимостей подвижности электронов в постоянном электрическом поле с напряженностью $F=7\cdot10^4$ В/м в легированном кремнии при температуре 300 K с использованием этих моделей.

Ключевые слова: ионизованная примесь, рассеяние электронов, метод Монте-Карло.

Поступила в редакцию: 09.12.2022
Исправленный вариант: 27.01.2023
Принята в печать: 30.01.2023

DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54925.4425

Реферативные базы данных:

•