Эта публикация цитируется в 1 статье

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Начальные стадии роста слоя $\mathrm{GaN}(11\bar22)$ на наноструктурированной подложке $\mathrm{Si}(113)$

В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. Н. Родин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом растровой электронной микроскопии изучались начальные стадии формирования полуполярного GaN(11$\bar2$2) слоя при эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках Si(113), на поверхности которых сформированы U-образные канавки с размером элементов $<$ 100 нм (подложка-NP-Si(113)). Установлено, что NP-Si(113) подложки с буферным слоем AlN стимулируют формирование островков, ограненных плоскостями $m$-GaN, $c$-GaN. Показано, что наблюдается преимущественный рост грани $m$-GaN по сравнению с $c$-GaN. Экспериментальные результаты соответствуют принципу отбора Гиббса–Кюри–Вульфа, но с учетом упругих напряжений в плоскости $c$-GaN.

Ключевые слова: полуполярный нитрид галлия, нано-структурированная подложка, кремний.

Поступила в редакцию: 08.08.2022
Исправленный вариант: 15.11.2022
Принята в печать: 26.12.2022

DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54923.3994

Реферативные базы данных:

•