Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Эволюция состава и рельефа поверхности полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в процессе распыления ионами аргона

А. Е. Иешкин^a, А. А. Татаринцев^a, Б. Р. Сенатулин^b, Е. А. Скрылева<sup>b

a</sup> Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
^b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия

Аннотация: Проведено систематическое исследование состава и структуры поверхности полупроводников группы A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ (GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb) после облучения ионами аргона с энергией 3 кэВ. Состав поверхности определялся с помощью рентгенфотоэлектронной спектроскопии. Полученные результаты обсуждаются с точки зрения процессов преимущественного распыления и радиационно-стимулированной сегрегации. Показано, что наблюдаемое обогащение металлическим компонентом не объясняется только этими процессами. На поверхности материалов, содержащих индий, наблюдался развитый нанорельеф в виде колонн, в то время как на поверхности GaP развития рельефа не обнаружено. Такое поведение связывается с закономерностями смачивания поверхности полупроводника компонентом, обогащающим поверхность.

Ключевые слова: распыление, A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, нанорельеф, преимущественное распыление, сегрегация, РФЭС.

Поступила в редакцию: 13.11.2024
Исправленный вариант: 15.01.2025
Принята в печать: 15.01.2025

DOI: 10.61011/FTP.2024.12.59828.7328

Реферативные базы данных:

•