Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Механизмы токопрохождения в структуре TiN/Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au

С. А. Фефелов^a, Л. П. Казакова^ab, Н. А. Богословский^a, А. Б. Былев<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования пленок Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au субмикронной толщины от 40 до 800 нм. Измерены вольт-амперные характеристики структур TiN/Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au и проведено их сравнение. Установлено, что сопротивление электродов и приконтактная область пространственного заряда оказывают значительное влияние на вольт-амперную характеристику. Показано, что область пространственного заряда, расположенная главным образом в пленке Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au, является той областью, где развивается процесс переключения. Дана оценка критической напряженности поля, при достижении которой в области пространственного заряда начинается процесс переключения. Предложен метод определения напряженности поля в массиве аморфной части пленки до переключения.

Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au, память с изменяемым фазовым состоянием, контактное сопротивление, переключение.

Поступила в редакцию: 10.10.2024
Исправленный вариант: 27.12.2024
Принята в печать: 16.01.2025

DOI: 10.61011/FTP.2024.12.59826.7194

Реферативные базы данных:

•