Аннотация:
Исследовано моделирование методом Монте-Карло самокаталитического роста планарных нанопроволок GaAs по механизму пар-жидкость-кристалл на подложках GaAs, покрытых структурированной пленкой-маской. Под структурированной пленкой-маской подразумевается слой со свойствами оксида кремния с заранее заданной геометрией в виде канавок разной глубины, ширины и скважности. Проведен анализ влияния свойств структурированной пленки-маски на характер роста и морфологию планарных нанопроволок GaAs. Выявлен диапазон интенсивностей потоков галлия и мышьяка, в котором наблюдался стабильный рост планарных нанопроволок GaAs. Найдены условия перехода от роста по механизму пар–жидкость–кристалл к росту планарной нанопроволоки без капли, что позволяет получить бездефектные нанопроволоки по всей длине канавки.
Полный текст:
PDF файл (1100 kB)