RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 10, страницы 577–581 (Mi phts6806)

Международная конференция ФизикА.СПб/2024, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург

Термостимулированный перенос возбуждения в асимметричной системе квантовых ям, разделенных толстыми барьерами

Н. Г. Философовa, Г. В. Будкинb, В. Ф. Агекянa, G. Karczewskic, А. Ю. Серовa, С. Ю. Вербинa, А. Н. Резницкийb

a Санкт-Петербургский государственный университет, 194034 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, PL-02-668 Poland

Аннотация: В интервале температур T = 5–300 K исследованы спектры фотолюминесценции и отражения гетероструктуры Cd$_{0.65}$Mg$_{0.35}$Te, содержащей четыре квантовые ямы CdTe толщиной 10.2, 5.1, 2.6 и 1.3 нм, которые разделены барьерами Cd$_{0.65}$Mg$_{0.35}$Te толщиной 20 нм. При надбарьерном возбуждении в спектре ФЛ при T = 5 K детектируется четыре полосы, соответствующие рекомбинации экситонов в этих квантовых ямах. Установлено, что с ростом температуры усиливается перенос энергии между соседними квантовыми ямами, имеющий активационный характер. Степень связанности электронных состояний двух соседних квантовых ям убывает с увеличением их толщины. Проведена оценка связанности экситонных состояний соседних квантовых ям и сделан вывод о том, что перенос энергии может происходить посредством фёрстеровского диполь-дипольного взаимодействия или через состояния реальных или виртуальных фотонов.

Ключевые слова: квантовые ямы II–VI, люминесценция, перенос энергии.

Поступила в редакцию: 03.05.2024
Исправленный вариант: 17.09.2024
Принята в печать: 30.10.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.10.59385.6416A



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026