RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 10, страницы 544–547 (Mi phts6798)

Международная конференция ФизикА.СПб/2024, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург

Инфракрасное фотоотражение эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te

М. С. Ружевичa, К. Д. Мынбаевab, Д. Д. Фирсовc, И. В. Чумановc, О. С. Комковc, В. С. Варавинd, М. В. Якушевd

a Университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования фотоотражения пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведено сопоставление результатов измерения фотоотражения с данными исследования фотолюминесценции и оптического пропускания пленок после роста и после различных видов отжига. Для пленок после отжига обнаружено улучшение качества, выражающееся в уменьшении полуширины пика фотоотражения.

Ключевые слова: твердые растворы, CdHgTe, фотоотражение.

Поступила в редакцию: 02.05.2024
Исправленный вариант: 05.09.2024
Принята в печать: 30.10.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.10.59377.6488A



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026