Аннотация:
Исследовано влияние облучения ионами аргона с энергией 53 МэВ в диапазоне доз (1–7) $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$ на вольт-амперные характеристики диодов Шоттки Cr/SiC(4H) с уровнем легирования эпитаксиального слоя $\sim$10$^{14}$–3 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$. В характеристиках диодов как до облучения, так и после него обнаружены и обсуждаются эффекты, затрудняющие интерпретацию результатов, оценку радиационной стойкости диодов и подтверждающие влияние дефектов эпитаксиального слоя на характеристики диодов. Дана верхняя оценка величины пороговой дозы облучения D$_{\mathrm{th}}$ ($\sim$6 $\cdot$ 10$^9$ см$^{-2}$) ионами Ar$^{8+}$ с энергией 53 МэВ.
Полный текст:
PDF файл (198 kB)