Международная конференция ФизикА.СПб/2024, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург

Отрицательно заряженные азотно-вакансионные центры в кристалле карбида кремния $6H$-$^{28}\mathrm{SiC}$

Ф. Ф. Мурзаханов^a, Г. В. Мамин^a, М. А. Садовникова^a, Д. В. Шуртакова^a, О. П. Казарова^b, М. Р. Гафуров<sup>a

a</sup> Институт физики Казанского (Приволжского) федерального университета, 420008 Казань, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Техниками высокочастотного электронного парамагнитного резонанса идентифицированы высокоспиновые $(S = 1)$ центры окраски в изотопно-модифицированном кристалле $6H$-$^{28}\mathrm{SiC}$. Определены компоненты спинового гамильтониана $(g, D, A)$ отрицательно заряженных азотно-вакансионных $(NV^-)$ центров и изучено влияние режимов оптического возбуждения на их релаксационные характеристики. Полученные результаты доказывают потенциальную возможность использования $NV^-$-дефектов в $6H$-$^{28}\mathrm{SiC}$ для материальной реализации кубитов и спин-фотонных интерфейсов.

Ключевые слова: спиновые дефекты, карбид кремния, оптическая поляризация.

Поступила в редакцию: 19.04.2024
Исправленный вариант: 14.08.2024
Принята в печать: 30.10.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.09.59307.6309A

Реферативные базы данных:

•