Международная конференция ФизикА.СПб/2024, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург

Температурная зависимость скорости удаления носителей в 4H-SiC

С. Ю. Давыдов^a, К. С. Давыдовская^a, В. В. Козловский^b, А. А. Лебедев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассмотрена температурная зависимость скорости удаления носителей в политипе 4H-SiC при его облучении электронами с энергией 0.9 МэВ и протонами с энергией 15 МэВ. Обнаружено, что эта зависимость носит экспоненциальный характер с энергиями активации 49–76 мэВ. Показано, что данные величины близки к энергиям акустических фононов в SiC. Высказано предположение, что акустические фононы могут стимулировать процесс отжига радиационных дефектов.

Ключевые слова: SiC, облучение электронами и протонами, аннигиляция структурных дефектов. акустические фононы.

Поступила в редакцию: 16.04.2024
Исправленный вариант: 01.08.2024
Принята в печать: 30.10.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.09.59306.6289A

Реферативные базы данных:

•