В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, Л. А. Cокура, А. В. Соломникова, Ш. Ш. Шарофидинов, М. П. Щеглов, “HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10$\bar{1}$1) слоев на темплейте AlN/Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 9,страницы 474

Международная конференция ФизикА.СПб/2024, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург

HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10$\bar{1}$1) слоев на темплейте AlN/Si(100)

В. Н. Бессолов^a, Е. В. Коненкова^a, Т. А. Орлова^a, Л. А. Cокура^ab, А. В. Соломникова^c, Ш. Ш. Шарофидинов^a, М. П. Щеглов^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Национальный исследовательский университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология полуполярных слоев AlN(10$\bar{1}$1), выращенных методом HVPE на темплейте AlN/Si(100) толщиной 20 нм, сформированном методом MOCVD на наноструктурированной подложке кремния. Среднее значение шероховатости для полуполярных слоев AlN(10$\bar{1}$1) составило 36 нм для слоев толщиной 5 мкм, с FWHM ($\omega$-геометрия) около 2.5$^\circ$. Показано, что такой комбинированный подход к эпитаксии AlN на наноструктурированной подложке Si(100) приводит к получению более гладких эпитаксиальных слоев.

Ключевые слова: нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, газофазная эпитаксия.

Поступила в редакцию: 26.04.2024
Исправленный вариант: 28.08.2024
Принята в печать: 30.10.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.09.59304.6418A