Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$

С. А. Фефелов^a, Л. П. Казакова^ab, Н. А. Богословский^a, А. Б. Былев^b, Е. В. Гущина^a, Ж. К. Толепов^c, А. С. Жакыпов^c, О. Ю. Приходько<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Казахский национальный университет им. аль-Фараби, 050038 Алматы, Казахстан

Аннотация: Проведены измерения вольт-амперных характеристик тонкопленочных образцов материала с фазовой памятью Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ в режиме генератора тока. Исследовано влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик. Полученные данные свидетельствуют о повышении устойчивости электрических свойств Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при легировании висмутом с концентрацией 6.3 и 12.0 ат.%. Установлено исчезновение колебаний напряжения после переключения при введении примеси Bi.

Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$, память с изменяемым фазовым состоянием, легирование висмутом.

Поступила в редакцию: 12.04.2024
Исправленный вариант: 19.09.2024
Принята в печать: 01.10.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.08.59203.6261

Реферативные базы данных:

•