Аннотация:
Исследована возможность снижения удельного сопротивления омического контакта к эпитаксиальным слоям алмаза $p$- и $n$-типа за счет использования сильно легированных бором и фосфором слоев, вариации разных материалов для металлизации и отжига контактов. Исследовано два типа омических контактов – Ti/Mo/Au и Ti/Pt/Au. Использование платины в качестве диффузионного барьера в трехслойной системе позволило снизить удельное контактное сопротивление к алмазу $p$-типа на порядок по сравнению с молибденом до 2.7 $\cdot$ 10$^{-6}$ Ом $\cdot$ см$^2$, сохраняющее стабильность при высокотемпературном отжиге. Достигнуто удельное сопротивление омических контактов к алмазу $n$-типа 0.02 Ом $\cdot$ см$^2$. Вольт-амперные характеристики полученных контактов имеют линейный характер.
Полный текст:
PDF файл (301 kB)