RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 7, страницы 343–348 (Mi phts6762)

XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11-15 марта 2024 г.

Фотогальванический эффект в электронном газе планарных сверхрешеток без центра инверсии в постоянном однородном магнитном поле

А. А. Перов, П. В. Пикунов

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Энергетический спектр электрона в двоякопериодическом электростатическом поле поверхностной сверхрешетки и в достаточно сильном перпендикулярном постоянном однородном магнитном поле представляет собой узкие мини-зоны, образовавшиеся вблизи уровней Ландау. Гамильтониан электрона коммутирует с оператором магнитной трансляции, а магнитное поле при этом полагается таким, что элементарную ячейку сверхрешетки пронизывает магнитный поток, равный рациональному числу его квантов. Согласно теореме Крамерса, во внешнем магнитном поле законы дисперсии электрона не являются четными функциями проекций квазиимпульса, если периодический потенциал поля сверхрешетки не обладает центром инверсии $V(\mathrm r)\ne V(\mathrm{-r})$. Поэтому при переходах носителей под действием электромагнитой волны определенной поляризации из заполненной носителями заряда магнитной подзоны в незаполненную в системе возникает ненулевой поверхностный электрический ток. Проведены модельные расчеты плотности такого поверхностного тока для типичных и экспериментально реализуемых параметров сверхрешеток. Установлено, что в зависимости от параметров, определяющих степень нарушения пространственной инверсионной симметрии сверхрешетки, вектор поверхностной плотности тока электронов может менять направление.

Ключевые слова: планарные сверхрешетки, энергетический спектр электронов, магнитное поле.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 19.04.2024
Исправленный вариант: 19.09.2024
Принята в печать: 19.09.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.07.59176.6327H



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026