Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек

А. В. Бабичев^a, А. М. Надточий^ab, С. А. Блохин^a, В. Н. Неведомский^a, Н. В. Крыжановская^b, М. А. Бобров^a, А. П. Васильев^a, Н. А. Малеев^a, Л. Я. Карачинский^c, И. И. Новиков^c, А. Ю. Егоров<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), 190008 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведена отработка режимов формирования квантовых точек In$_x$Ga$_{1-x}$As методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что снижение содержания индия в структурах с InGaAs-квантовыми точками приводит к уменьшению длины волны излучения основного состояния и насыщению зависимости. Использование квантовых точек, сформированных из слоя In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As, позволяет реализовать фотолюминесценцию при температуре 13 K с максимумом вблизи 995 нм и характерной полушириной пика ФЛ $\sim$57 мэВ, при этом в данном массиве квантовых точек эффекта бимодальности не обнаружено. Полученные структуры с In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As-квантовыми точками продемонстрировали высокую пиковою интенсивность фотолюминесценции при температуре 300 K, что позволяет использовать данный тип активных областей для формирования вертикальных микрорезонаторов для последующей реализации схемы резервуарных вычислений.

Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, арсенид галлия, InGaAs, механизм Странского–Крастанова.

Поступила в редакцию: 16.04.2024
Исправленный вариант: 17.06.2024
Принята в печать: 24.08.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.06.58946.6287

Реферативные базы данных:

•