XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11-15 марта 2024 г.

Потенциальное быстродействие алмазного полевого транзистора на приповерхностном двумерном дырочном газе

В. А. Кукушкин^ab, Ю. В. Кукушкин<sup>b

a</sup> Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Показано, что обнаруженная недавно существенная вариация подвижности дырок в двумерном дырочном газе, находящемся под покрытой атомами водорода поверхностью искусственного алмаза, при изменении наложенного на него сильного ортогонального электрического поля может быть использована для создания быстродействующего алмазного полевого транзистора. Согласно проведенным расчетам, при реалистичных параметрах такого устройства время более чем 50% модуляции тока между истоком и стоком затворным напряжением быстро уменьшается с ростом слоевой концентрации дырок в формируемом этим газом приповерхностном проводящем канале и при ее величине 7 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-2}$ достигает 7 пс.

Ключевые слова: алмаз, быстродействующий полевой транзистор, подвижность.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 15.04.2024
Исправленный вариант: 20.06.2024
Принята в печать: 20.06.2024

DOI: 10.61011/FTP.2024.06.58941.6258H

Реферативные базы данных:

•