Аннотация:
Методами спин-зависимой рекомбинации и детектирования резонансного изменения микроволновой фотопроводимости исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса центров, возникающих на поверхности пластин кремния с ориентацией (111), (110) и (100) после их естественного окисления на воздухе. Установлены основные закономерности поведения спектров парамагнитного резонанса в различных экспериментальных условиях, таких, как температура, интенсивность освещения, мощность микроволнового резонансного поля. Показано, что основными центрами спин-зависимой рекомбинации являются оборванные связи атомов кремния, локализованные на границе Si/SiO$_2$ на поверхностях (111) и (110), и пары оборванных связей на поверхности (100).
Полный текст:
PDF файл (314 kB)